[发明专利]具有深阱结构的影像感应器及其制作方法

摘要

本发明公开一种具有深阱结构的影像感应器及其制作方法。该影像感应器，包含有一半导体基材，具有一第一导电型，该基材上区分有多个感光区域，包括第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，分别对应于所述影像感应器的R像素、G像素及B像素；一绝缘结构，设于该半导体基材表面，分隔开该多个感光区域；一感光结构，设于各该多个感光区域内；以及一深阱结构，具有一第二导电型，其中该深阱结构仅与该第二、第三感光区域重叠，但是不重叠于该第一感光区域。

主权项

一种影像感应器，包含有：半导体基材，具有第一导电型，该基材上区分有多个感光区域；绝缘结构，设于该半导体基材上，分隔开该多个感光区域；感光结构，设于各该多个感光区域对应的该半导体基材内；以及深阱结构，具有第二导电型，其中该深阱结构仅设于部分感光区域的该感光结构下方。