[发明专利]半导体器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201410553135.0 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105514793A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈弘;贾海强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/30;H01S5/343;H01S5/22 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的半导体器件包括依次形成的硅基材料基片、隔离层、化合物基半导体外延材料层，其中，所述隔离层的材料为金属材料或介质材料，本发明提供的半导体器件，通过在硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间建立隔离层，从而构建了硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间的晶格失配产生应力的缓冲层，这样，该半导体器件在工作时，硅基衬底与化合物基半导体外延材料两者晶格失配与热失配问题产生的大的应力问题得到良好隔离，半导体器件工作寿命延长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：硅基材料基片；隔离层，其形成于所述基片表面，所述隔离层的材料为金属材料或介质材料；化合物基半导体外延材料层，其外延生长于所述隔离层表面。
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