[发明专利]一种嵌入式闪存及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种嵌入式闪存及其制备方法、电子装置，所述方法包括提供基底，在基底中形成有通过浅沟槽隔离氧化物相隔离的有源区，浅沟槽隔离氧化物的顶部高于所述基底的表面；沉积浮栅材料层，以覆盖有源区和所述浅沟槽隔离氧化物；平坦化所述浮栅材料层，露出浅沟槽隔离氧化物的表面；回蚀刻所述浮栅材料层，以减小所述浮栅材料层的厚度，露出部分高度的所述浅沟槽隔离氧化物；回蚀刻露出的浅沟槽隔离氧化物，以减小露出的所述浅沟槽隔离氧化物的关键尺寸；再次沉积所述浮栅材料层至浅沟槽隔离氧化物的顶部，以包围所述浅沟槽隔离氧化物，平坦化所述浮栅材料层；去除浅沟槽隔离氧化物中关键尺寸减小的部分，以在有源区上形成T形浮栅。

主权项

1.一种嵌入式闪存的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，在所述基底中形成有通过浅沟槽隔离氧化物相隔离的有源区，所述浅沟槽隔离氧化物的顶部高于所述基底的表面；步骤S2：沉积浮栅材料层，以覆盖所述有源区和所述浅沟槽隔离氧化物；步骤S3：平坦化所述浮栅材料层，以露出所述浅沟槽隔离氧化物的表面；步骤S4：回蚀刻所述浮栅材料层，以减小所述浮栅材料层的厚度，露出部分高度的所述浅沟槽隔离氧化物；步骤S5：回蚀刻露出的所述浅沟槽隔离氧化物，以减小露出的所述浅沟槽隔离氧化物的关键尺寸；步骤S6：再次沉积所述浮栅材料层至所述浅沟槽隔离氧化物的顶部，以包围所述浅沟槽隔离氧化物，并平坦化所述浮栅材料层；步骤S7：去除所述浅沟槽隔离氧化物中关键尺寸减小的部分，以在所述有源区上形成T形浮栅。