[发明专利]金属互连结构的形成方法

摘要

本发明提供一种金属互连结构的形成方法。包括，在半导体基底表面，以及半导体基底的沟槽内形成金属籽晶层后，在金属籽晶层表面形成遮挡层；之后去除沟槽底部的遮挡层，露出沟槽底部的金属籽晶层，而保留覆盖于沟槽侧壁的遮挡层。后续在金属籽晶层上继续形成金属层过程中，基于沟槽侧壁上覆盖有遮挡层，而无法在沟槽的侧壁上继续形成金属层，因而只能由沟槽底部露出的金属籽晶层上，由下至上逐渐形成金属层，直至填充满沟槽，从而可有效避免在沟槽内未填充满金属层的条件下，沟槽的开口过早闭合，致使在沟槽内的金属层中形成空隙的缺陷，进而提高后续形成于沟槽内的金属互连结构的性能和后续形成的半导体器件的性能。

主权项

一种金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底内形成沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部形成金属籽晶层；在所述金属籽晶层表面形成遮挡层；去除位于所述沟槽底部的所述遮挡层，保留所述沟槽侧壁上的所述遮挡层，以露出所述沟槽底部的金属籽晶层；在露出的金属籽晶层上形成填充所述沟槽的金属层，以形成导电插塞。