[发明专利]用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法和电路有效
| 申请号： | 201410554697.7 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105575422B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张弓;李煜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法和电路。所述方法包括：为SRAM的上拉晶体管的衬底施加第一电压；为下拉晶体管和传输门晶体管的衬底施加第二电压；为传输门晶体管的漏极施加第三电压；将待测传输门晶体管的源极节点预设为低电位，将非待测传输门晶体管的源极节点预设为高电位；为传输门晶体管的栅极施加从零到第四电压进行变化的电压；测量待测传输门晶体管的沟道电流，当沟道电流达到预设电流值时，为传输门晶体管的栅极施加的电压为待测传输门晶体管的阈值电压。本发明所提供的用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法可以实现在SRAM标准位元上进行测试，无需专用的测试结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 sram 传输 器件 阈值 电压 方法 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法，其特征在于，所述方法包括：为所述SRAM的上拉晶体管的衬底施加第一电压；为所述SRAM的下拉晶体管的衬底施加第二电压；为所述SRAM的传输门晶体管的衬底施加所述第二电压、漏极施加第三电压；将所述传输门晶体管中的待测传输门晶体管的源极节点预设为低电位，将所述传输门晶体管中的非待测传输门晶体管的源极节点预设为高电位；为所述传输门晶体管的栅极施加从零到第四电压进行变化的电压；以及测量所述待测传输门晶体管的沟道电流，当所述沟道电流达到预设电流值时，为所述传输门晶体管的栅极施加的电压为所述待测传输门晶体管的阈值电压。
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