[发明专利]一种多晶硅薄膜材料的制备方法在审
| 申请号： | 201410555667.8 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104392908A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 郝会颖;何明 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 栾波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅薄膜材料的制备领域，特别涉及一种多晶硅薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：在玻璃衬底上，采用磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜，得到复合薄膜；对复合薄膜进行激光辐照，非晶硅薄膜晶化，即得多晶硅薄膜材料；其中，在磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜过程中，温度不高于150℃。本发明提供的多晶硅薄膜材料的制备方法，非晶硅薄膜和金属铝膜均采用磁控溅射技术获得，不需要硅烷等危险气体；在磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜过程中，最高温度不超过150℃，采用廉价的玻璃衬底即可，多晶硅薄膜制备工艺中温度低，可大大降低能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在玻璃衬底上，采用磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜，得到复合薄膜；对所述复合薄膜进行激光辐照，所述非晶硅薄膜晶化，即得所述多晶硅薄膜材料；其中，在磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜过程中，温度不高于150℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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