[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置

摘要

本发明实施例提供了一种低温多晶硅薄膜的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可解决金属诱导法制备低温多晶硅薄膜时金属残留问题，避免由于金属残留导致TFT关态电流过高。该低温多晶硅薄膜的制备方法包括，在基板上依次形成缓冲层、金属诱导层；在金属诱导层上形成非晶硅薄膜；对形成有非晶硅薄膜的基板进行退火处理，通过金属诱导层的诱导作用使非晶硅薄膜转化为低温多晶硅薄膜；退火处理的温度为300～700℃；去除因诱导作用而形成在低温多晶硅薄膜上表面的金属诱导扩散层。用于低温多晶硅薄膜及包括低温多晶硅薄膜的薄膜晶体管的制备。

主权项

一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，在基板上依次形成缓冲层、金属诱导层；在所述金属诱导层上形成非晶硅薄膜；对形成有所述非晶硅薄膜的所述基板进行退火处理，通过所述金属诱导层的诱导作用使所述非晶硅薄膜转化为低温多晶硅薄膜；所述退火处理的温度为300～700℃；去除因诱导作用而形成在所述低温多晶硅薄膜上表面的金属诱导扩散层；其中，所述上表面为所述低温多晶硅薄膜远离所述基板一侧的表面；所述金属诱导扩散层由在退火处理后，扩散到所述上表面的所述金属诱导层中的金属离子，和/或所述金属离子与所述上表面的硅原子发生反应后生成的金属硅化物构成。