[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410559225.0 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105590868B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张先明;李志超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供器件晶圆，在所述器件晶圆的背面形成有硅通孔，其中所述硅通孔包括金属材料形成的导电层；步骤S2：对所述器件晶圆进行背部研磨至所述硅通孔的顶部，以减小所述器件晶圆的厚度；步骤S3：蚀刻所述器件晶圆的背面，以露出部分所述硅通孔；步骤S4：回蚀刻露出的所述硅通孔，以去除所述器件晶圆背面和/或所述硅通孔表面残留的所述金属材料。本发明所述方法可以很好地解决现有技术中介电层碎裂的问题，提高了器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供器件晶圆，在所述器件晶圆的背面形成有硅通孔，其中所述硅通孔包括金属材料形成的导电层；步骤S2：对所述器件晶圆进行背部研磨至所述硅通孔的顶部，以减小所述器件晶圆的厚度；步骤S3：蚀刻所述器件晶圆的背面，以露出部分所述硅通孔；步骤S4：回蚀刻露出的所述硅通孔，以去除所述器件晶圆背面和/或所述硅通孔表面残留的所述金属材料，在所述步骤S4中，回蚀刻所述硅通孔，以去除所述器件晶圆背面和/或所述硅通孔侧壁上的由金属扩散和凸起残留的所述金属材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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