[发明专利]一种图形化衬底的方法有效
| 申请号： | 201410559500.9 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105514243B | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘海鹰 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种图形化衬底的方法，包括：主刻蚀过程，对表面形成有掩膜的衬底进行主刻蚀，在掩膜的覆盖面积减小之前结束主刻蚀过程；过刻蚀过程，对经过主刻蚀的衬底进行过刻蚀，过刻蚀过程中掩膜的刻蚀速率小于主刻蚀过程中掩膜的刻蚀速率。本发明所提供的图形化衬底的方法通过在掩膜的覆盖面积减小之前结束主刻蚀，避免了在主刻蚀过程中PSS图形侧壁出现突兀的拐角，之后通过在过刻蚀过程中降低掩膜的刻蚀速率，以减小掩膜的内缩速率，使最终形成的PSS三角锥形侧壁的拐角角度增大，从而提高了三角锥形侧壁的光滑平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图形化衬底的方法，其特征在于，包括：主刻蚀过程，对表面形成有掩膜的衬底进行主刻蚀，在所述掩膜的覆盖面积减小之前结束所述主刻蚀过程；过刻蚀过程，对经过所述主刻蚀的衬底进行过刻蚀，所述过刻蚀过程中所述掩膜的刻蚀速率小于所述主刻蚀过程中所述掩膜的刻蚀速率。
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