[发明专利]热处理设备有效
申请号: | 201410563389.0 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104576448B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 沈亨基;严泰骏;白种化;朴宰显 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种热处理设备。此热处理设备包含:处理腔室,其中具有衬底处理空间;光源,安置在处理腔室外部以输出光,光源将光照射到装载到处理腔室中的衬底上;以及停滞凹槽,在处理腔室内安置在衬底上方并且具有内部空间,从光源发出的光和惰性气体穿过内部空间并且被引导到衬底,停滞凹槽从下侧向上界定,以使得惰性气体收纳在停滞凹槽中并且停滞在停滞凹槽中。根据示例性实施例,惰性气体收纳在其中的停滞凹槽可以界定在气体喷射模块的下部中。因此,由于停滞的惰性气体填充到气体喷射模块的下部与衬底的顶部表面之间的空间中,所以即使氧气和杂质存在于处理腔室中的气体喷射模块外部,也可防止将氧气引入到衬底与气体喷射模块之间的空间中。 | ||
搜索关键词: | 停滞 衬底 气体喷射模块 热处理设备 处理腔室 惰性气体 光源 收纳 处理腔 界定 氧气 惰性气体填充 侧向 衬底处理 顶部表面 光照射 室外部 输出光 安置 装载 穿过 室内 引入 外部 | ||
【主权项】:
1.一种热处理设备,其特征在于包括:处理腔室,其中具有衬底处理空间;光源,其安置在所述处理腔室外部以输出光,所述光源将所述光照射到装载到所述处理腔室中的衬底上;以及板,其安置在所述处理腔室中的所述衬底上并且具有停滞凹槽,其中所述停滞凹槽安置在所述衬底上方并且具有内部空间,从所述光源发出的所述光和惰性气体穿过所述内部空间并且被引导到所述衬底,所述停滞凹槽是从下侧向上界定的,以使得所述惰性气体收纳在所述停滞凹槽中并且停滞在所述停滞凹槽中,且其中所述停滞凹槽是具有从所述板的底部表面向上凹陷的凹形形状的凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造