[发明专利]气体注射单元以及包含所述气体注射单元的热处理设备有效
申请号: | 201410563556.1 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104576357B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 梁相熙;李基雄;严泰骏 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种气体注射单元以及一种包含气体注射单元的热处理设备。经配置以将惰性气体注射到衬底上的气体注射单元包含:气体注射块,气体注射块具有气体注射空间,惰性气体穿过气体注射空间,并且气体注射块具有注射狭缝,注射狭缝界定在下侧中、具有在衬底的一个方向上延伸的线形状,并且允许惰性气体穿过注射狭缝,以便朝向衬底引导惰性气体;以及气体供应部件,气体供应部件包含第一储箱,第一储箱在注射狭缝的延伸方向上延伸,并且在第一储箱的中心方向上具有从第一储箱的两个端逐渐地减小的内径,惰性气体是通过两个端被引入,气体供应部件布置在气体注射块内并且连接到气体注射空间,以将惰性气体供应到气体注射空间中。 | ||
搜索关键词: | 气体注射 惰性气体 注射 储箱 狭缝 气体供应部件 衬底 热处理设备 延伸 惰性气体供应 穿过 中心方向 线形状 减小 界定 引入 配置 | ||
【主权项】:
1.一种经配置以将惰性气体注射到衬底上的气体注射单元,所述气体注射单元包括:气体注射块,所述气体注射块具有气体注射空间,所述惰性气体穿过所述气体注射空间,并且所述气体注射块具有注射狭缝,所述注射狭缝界定在下侧中、具有在所述衬底的一个方向上延伸的线形状,并且允许所述惰性气体穿过所述注射狭缝,以便朝向所述衬底引导所述惰性气体;以及气体供应部件,所述气体供应部件包括第一储箱,所述第一储箱在所述注射狭缝的延伸方向上延伸,并且在所述第一储箱的中心方向上具有从所述第一储箱的相对侧壁的两个端逐渐地减小的内径,所述惰性气体是通过所述两个端被引入,所述气体供应部件布置在所述气体注射块内并且连接到所述气体注射空间,以将所述惰性气体供应到所述气体注射空间中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AP系统股份有限公司,未经AP系统股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410563556.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:信息处理方法及装置
- 下一篇:有机发光显示设备及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造