[发明专利]传导控制晶体管及其制备方法以及CIS芯片结构

摘要

本发明的传导控制晶体管及其制备方法以及CIS芯片结构中，传导控制晶体管包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有一N型深阱区和一FD有源区，所述N型深阱区表面形成有一P型浅掺杂区；所述半导体衬底中形成有一浅槽，所述浅槽位于所述N型深阱区和FD有源区之间，所述浅槽的深度大于所述P型浅掺杂区的深度，所述浅槽中形成有传导控制栅极氧化层和传导控制栅极。本发明中，所述传导控制栅极氧化层可以将所述P型掺杂区和所述FD有源区隔离，避免所述P型掺杂区产生的漏电传到所述FD有源区；并将因离子注入产生损伤的所述半导体衬底刻蚀掉形成所述传导控制栅极氧化层，可以减少损伤产生的漏电。

主权项

一种传导控制晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有一N型深阱区和一FD有源区，所述N型深阱区表面形成有一P型浅掺杂区；浅槽，形成于所述半导体衬底中，所述浅槽位于所述N型深阱区和所述FD有源区之间，所述浅槽的深度大于所述P型浅掺杂区的深度，所述浅槽中依次形成有层叠的传导控制栅极氧化层和传导控制栅极。