[发明专利]声音传感器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410563735.5 申请日: 2014-10-21
公开(公告)号: CN105530577B 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 刘炼;李卫刚;郑超;王伟;郭亮良 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00;B81C1/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种声音传感器的制备方法,包含:提供一基底;在所述基底上依次形成第一牺牲层、第二牺牲层、振动电极、第三牺牲层、固定电极膜以及保护层;选择性刻蚀所述保护层以及固定电极膜,形成一固定电极以及声音孔;选择性刻蚀所述基底,形成一基底开口;采用第一湿法刻蚀工艺去除所述第一牺牲层;采用灰化工艺去除所述第二牺牲层以及第三牺牲层,形成声音传感器。本发明的声音传感器的制备方法,可以避免或减少刻蚀液会残留在空气腔中,从而提高器件的性能。
搜索关键词: 声音 传感器 制备 方法
【主权项】:
1.一种声音传感器的制备方法,包括:提供一基底;在所述基底上形成一第一牺牲层,所述第一牺牲层为具有一牺牲层开口的环形结构,所述第一牺牲层的材料为可通过湿法刻蚀去除的材料;形成一第二牺牲层,所述第二牺牲层覆盖所述牺牲层开口以及至少部分所述第一牺牲层,所述第二牺牲层的材料为可通过灰化工艺去除的材料;在所述第二牺牲层上依次形成一振动电极、第三牺牲层、固定电极膜以及保护层,所述第三牺牲层的材料为可通过灰化工艺去除的材料,所述保护层密封所述固定电极膜、第三牺牲层、第二牺牲层以及第一牺牲层;选择性地刻蚀所述保护层以及固定电极膜,形成一固定电极以及声音孔,所述声音孔露出部分所述第三牺牲层;选择性地刻蚀所述基底,形成一基底开口,所述基底开口露出所述牺牲层开口以及至少部分所述第一牺牲层;采用第一湿法刻蚀工艺去除所述第一牺牲层,其中所述第一湿法刻蚀工艺的刻蚀液通过所述基底开口刻蚀所述第一牺牲层;以及在去除所述第一牺牲层之后,采用灰化工艺去除所述第二牺牲层以及第三牺牲层,形成声音传感器,其中所述灰化工艺的气体通过所述基底开口去除所述第二牺牲层和所述第三牺牲层。
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