[发明专利]一种中空电磁屏蔽玻璃及制备方法有效

专利信息
申请号: 201410564017.X 申请日: 2014-10-18
公开(公告)号: CN104386924B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 秦文锋;王玲;杨永华 申请(专利权)人: 中山市创科科研技术服务有限公司
主分类号: C03C27/00 分类号: C03C27/00;B32B17/06;B32B33/00;C03C17/34;H05K9/00
代理公司: 中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙)44327 代理人: 杨连华
地址: 528400 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种中空电磁屏蔽玻璃,包括有框架,其特征在于所述的框架两侧分别设有镀膜玻璃,所述的镀膜玻璃包括玻璃基片,在所述的玻璃基片的外侧面复合有TCO膜,所述的镀膜玻璃外侧设有金属窗户框,所述的TCO膜与所述的金属窗户框之间连接有连接导线。本发明目的是克服了现有技术的不足,提供一种透过率高,防止能有效防止电磁场辐射的中空电磁屏蔽玻璃。本发明还提供一种中空电磁屏蔽玻璃的制备方法。
搜索关键词: 一种 中空 电磁 屏蔽 玻璃 制备 方法
【主权项】:
一种中空电磁屏蔽玻璃,包括有框架(1),其特征在于:所述的框架(1)两侧分别设有镀膜玻璃(2),所述的镀膜玻璃(2)包括玻璃基片(21),在所述的玻璃基片(21)的外侧面复合有TCO膜(22),所述的TCO膜(22)膜层总厚度为150~270nm,所述的TCO膜(22)从内到外依次为第一膜层即最内层SiO2层(221),第二膜层ITO层(222),第三膜层SiO2层(223),第四膜层ITO层(224),第五膜层即最外层SiO2层(225);所述的第一膜层即最内层SiO2层(221)的厚度为10~30nm;所述的第二膜层ITO层(222)的厚度为60~90nm;所述的第三膜层SiO2层(223)的厚度为10~30nm;所述的第四膜层ITO层(224)的厚度为60~90nm;所述的第五膜层即最外层SiO2层(225)的厚度为10~30nm;所述的镀膜玻璃(2)外侧设有金属窗户框(3),所述的TCO膜(22)与所述的金属窗户框(3)之间连接有连接导线(4)。
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