[发明专利]一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201410567065.4 | 申请日： | 2014-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104316570A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 郭新;丁俊超;李华曜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;C01G51/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法，适合锶、铈、钯等元素掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备。本方法采用阳极氧化法制备纳米棒阵列模板，采用溶胶凝胶法在模板上形成掺杂钴酸镧纳米棒，并采用晶种的方式将纳米棒与电极基板接触。该方法可以完好的保留纳米棒的形貌，并能在室温下对一氧化碳有较好的响应。采用该方法制备的室温一氧化碳传感器结构简单，性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 钴酸镧 纳米 阵列 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法，该方法先分别制备带钴酸镧纳米晶种的基片和带掺杂钴酸镧纳米棒阵列的氧化铝模板；再将二者贴合后进行烧结，使钴酸镧纳米晶种与钴酸镧纳米棒烧结在一起，去除氧化铝模板后得到掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器，其中，钴酸镧纳米晶种作为衔接层用于保证钴酸镧纳米棒的结构稳定性和形成一层导电通道。
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