[发明专利]一种氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，在蓝宝石基板上在反应管内部为正压且V/III ratio为10～80的条件下生长第一氮化镓缓冲层；在第一氮化镓缓冲层上在反应管内部为负压且V/III ratio为2～10的条件下生长第二氮化镓缓冲层；交替重复上述步骤，使第一氮化镓缓冲层与第二氮化镓缓冲层反复交替生长。木发明提供的是一种反复交替生长具有2种不同的生长模式的两种氮化镓缓冲层来获得高生长率、低缺陷密度的高品质氮化镓厚膜的方法，且通过本发明提供的缓冲结构制备氮化镓厚膜其厚度可达300μm以上。

主权项

一种氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1)：在生长温度为900～1000℃，反应管内部为正压且V/III ratio为10～80的条件下，在蓝宝石基板(1)上生长第一氮化镓缓冲层(2)；步骤2)：在生长温度为900～1000℃，反应管内部为负压且V/III ratio为2～10的条件下，在步骤1)制得的第一氮化镓缓冲层(2)上生长第二氮化镓缓冲层(3)：步骤3)：在步骤2)制得的第二氮化镓缓冲层(3)上，交替重复步骤1)和步骤2)，使第一氮化镓缓冲层(2)与第二氮化镓缓冲层(3)反复交替生长，得到氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构。