[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410568709.1 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105529323B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一条状叠层结构以及至少一导电结构。基板具有一凹槽，条状叠层结构形成于凹槽内。条状叠层结构包括多个导电条及多个绝缘条。各导电条具有一水平导电段及二垂直导电段连接于对应的水平导电段，水平导电段的延伸方向平行于凹槽的一底部，垂直导电段的延伸方向垂直于凹槽的底部。各绝缘条具有一水平绝缘段及二垂直绝缘段连接于对应的水平绝缘段，垂直绝缘段的延伸方向平行于垂直导电段的延伸方向。导电结构电性连接于这些导电条的至少其中之一。条状叠层结构具有一水平叠层段对应水平导电段，条状叠层结构具有二垂直叠层段对应垂直导电段，垂直叠层段的一宽度大于水平叠层段的一厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 导电段 叠层结构 垂直 绝缘段 半导体结构 导电条 延伸 垂直叠层 导电结构 方向平行 叠层段 绝缘条 基板 电性连接 方向垂直 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一基板，具有一凹槽；一条状叠层结构，形成于该凹槽内，该条状叠层结构包括：多个导电条，各该导电条具有一水平导电段及二垂直导电段连接于对应的该水平导电段，该水平导电段的延伸方向平行于该凹槽的一底部，这些垂直导电段的延伸方向垂直于该凹槽的该底部；及多个绝缘条，这些导电条与这些绝缘条是交错设置，各该绝缘条具有一水平绝缘段及二垂直绝缘段连接于对应的该水平绝缘段，这些垂直绝缘段的延伸方向平行于这些垂直导电段的延伸方向，且这些垂直绝缘段的一宽度大于对应的该水平绝缘段的一厚度；以及至少一导电结构，电性连接于这些导电条的至少其中之一；其中该条状叠层结构具有一水平叠层段对应这些水平导电段，该条状叠层结构具有二垂直叠层段对应这些垂直导电段，这些垂直叠层段的一宽度大于该水平叠层段的一厚度。
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