[发明专利]一种VDMOS器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410569316.2 | 申请日： | 2014-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105590853A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲;马万里;李理 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS器件的制作方法，包括：在衬底的第一表面上形成保护层；按照预设图形对所述保护层进行刻蚀形成窗口区域，得到与所述预设图形相应的保护层图形；采用横向外延生长方式在所述保护层图形的上方区域和窗口区域形成外延层。上述方法首先在衬底上形成保护层图形，之后采用横向外延生长方式在保护层图形的上方区域和窗口区域形成外延层，利用保护层图形对外延生长方向进行控制，可以将衬底内的位错横向拉伸，由此生长的外延层的位错密度较衬底可以低2-3个数量级，能够大幅提高外延层质量，进而提高VDMOS器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在衬底的第一表面上形成保护层；按照预设图形对所述保护层进行刻蚀形成窗口区域，得到与所述预设图形相应的保护层图形；采用横向外延生长方式在所述保护层图形的上方区域和窗口区域形成外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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