[发明专利]一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法

摘要

本发明涉及一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法。其步骤（1）按质量比将多晶硅块置于石墨坩埚底层,将鳞片石墨均匀铺散在多晶硅块上面；（2）将坩埚放入感应炉中，抽真空4-10小时；（3）温度升至1300-1600℃，氩气流量0.1-5L/min，氢气流量0-1L/min，压力3-20mbar，保温2-4小时；（4）温度升至1800-2300℃，升温速率为10-30℃/min，保温2-10小时；（5）取出碳化硅粉在石墨研钵中粉碎，即得到高纯碳化硅粉。该方法制备的高纯SiC粉为淡黄色或黄黑色粉末，碳化硅的含量不低于99.9%。该方法具有工艺简单、生产成本低、生产周期短和SiC粉纯度高特点。

主权项

 一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法，其特征在于：其步骤如下：步骤一.将鳞片石墨和多晶硅块按质量比为1:2‑1:2.5装入石墨坩埚中, 将多晶硅块置于石墨坩埚底层,然后将鳞片石墨均匀铺散在多晶硅块上面；步骤二.将装有鳞片石墨和多晶硅块的石墨坩埚放入感应炉中，抽真空4‑10小时，真空度达到10^‑5mbar；步骤三.将温度迅速升至1300‑1600℃，充入氩气或氩气和氢气的混合气体，氩气流量为0.1‑5L/min，氢气流量为0‑1L/min，压力为3‑20mbar，并保温2‑4小时；步骤四.将温度迅速升至1800‑2300℃，升温速率为10‑30℃/min，保温2‑10小时；步骤五.取出合成好的碳化硅粉在石墨研钵中粉碎，即得到高纯碳化硅粉。