[发明专利]一种锗单晶抛光片的清洗方法

摘要

本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法。本方法采用锗单晶抛光片清洗液对锗单晶抛光片进行清洗，清洗过程分为浸泡清洗、溢流清洗以及快排冲洗三个步骤，锗单晶抛光片清洗液是由氢氟酸溶液、氧化剂溶液、去离子水三种成分组成的混合溶液；其体积比为（300-500）：（5-20）：8000。采用本方法清洗锗片，可去除锗抛光片表面吸附的颗粒、有机物以及金属离子；锗片表面的颗粒度可达到粒度大于0.3μm的颗粒数不超过10个，且表面无雾、无白色斑块等缺陷，可达到“免清洗”水平。实现了对锗片表面的氧化、剥离，可获得表面质量一致性良好的锗片。从而克服了氢氟酸溶液清洗后锗片表面疏水、易于吸附颗粒的缺陷。

主权项

一种锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于：采用锗单晶抛光片清洗液对锗单晶抛光片进行清洗，清洗过程分为浸泡清洗、溢流清洗以及快排冲洗三个步骤，所述的锗单晶抛光片清洗液是由氢氟酸溶液、氧化剂溶液、去离子水三种成分组成的混合溶液；氢氟酸溶液、氧化剂溶液、去离子水混合的体积比为（300‑500）：（5‑20）：8000；氢氟酸溶液的浓度为48~50%；氧化剂溶液的浓度为0.1‑1%；具体清洗步骤如下：步骤一. 浸泡清洗：采用清洗液对锗单晶抛光片进行浸泡清洗，清洗时间为10~300秒，清洗温度为20~25℃；步骤二. 溢流清洗：使用去离子水对锗单晶抛光片进行溢流清洗，清洗时间为60~300秒；步骤三. 快排冲洗：使用去离子水对锗单晶抛光片进行快排冲洗，冲洗次数3~5次，每次冲洗时间为80~120秒；步骤四.使用甩干机将锗片甩干。