[发明专利]一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法。具体步骤在具有PN结及铝背电极的硅片上利用丝网印刷技术，印刷电极种子层；在硅片的正面沉积一层氮化硅减反射膜；利用激光刻蚀技术去除种子层表面的氮化硅，使种子层暴露出来，实现对硅片开槽及退火的目的；利用光诱导电镀、电镀技术电镀前栅线电极，形成完整的晶体硅太阳能电池片。本发明既结合了传统的丝网印刷工艺又融合了当前的光诱导电镀技术。在制备种子层的过程中有效地利用了相关步骤中的温度条件达到对种子层的退火工艺，节约了成本；制备的前栅线电极与硅体之间形成良好的欧姆接触；前栅线电极均匀致密，导电性好，器件的串联电阻小，电极附着力增加,生产成本低，产出效率高。

主权项

一种晶体硅太阳能电池前栅线电极的制备方法，其特征是具备如下步骤：（1）在具有铝背电极、PN结晶体硅片的正面丝网印刷前栅线电极种子层；（2）沉积氮化硅减反射层；（3）激光刻槽的方法除去前栅线电极表面的氮化硅；（4）电镀前栅线电极；（5）电镀前栅线电极保护层金属；所用的晶体硅片是经过制绒、磷扩散、去磷硅玻璃、印刷铝背电极工艺流程的半成品晶体硅太阳能电池片；所述激光刻槽的方法是利用激光除去种子层表面的氮化硅，同时对种子层进行二次退火，形成欧姆接触层。