[发明专利]一种硅深孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410571338.2 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105584986A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;孟令款;李春龙;洪培真;崔虎山;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅深孔刻蚀方法，包括：a.在硅片(100)上均匀涂覆掩膜(101)，在掩膜(101)上形成所需图形；b.基于掩膜(101)图案，采用稳态工艺在所述硅片上刻蚀深孔(102)；c.在所述第一深孔(102)的侧壁及底部形成钝化层(200)；d.去除位于所述所述深孔(102)底部的钝化层(200)；e.采用bosch工艺进行交替深刻蚀，对深孔进行深化，得到加深的第二深孔(103)；f.去除钝化层(200)。本发明将稳态刻蚀工艺与bosch刻蚀工艺相结合，有效消除了槽顶部侧壁的锯齿形貌，并弱化了底切现象(under cut)，有效的提高了器件的可靠性与寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅深孔 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种硅深孔刻蚀方法，包括：a.在硅片(100)上均匀涂覆掩膜(101)，在掩膜(101)上形成所需图形；b.基于掩膜(101)图案，采用稳态工艺在所述硅片上刻蚀深孔(102)；c.在所述第一深孔(102)的侧壁及底部形成钝化层(200)；d.去除位于所述所述深孔(102)底部的钝化层(200)；e.采用bosch工艺进行交替深刻蚀，对深孔进行深化，得到加深的第二深孔(103)；f.去除钝化层(200)。
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