[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201410571346.7 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105590854B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上依次形成穿通阻挡层以及半导体材料层；在半导体材料层上形成掩膜图形；利用掩膜图形依次刻蚀半导体材料层和穿通阻挡层，直至进入衬底中，在衬底上形成包含了半导体材料层和穿通阻挡层的多个鳍片；在多个鳍片之间的衬底上形成浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，先形成穿通阻挡层然后外延并刻蚀形成鳍片，通过浓度分布超陡的PTSL层降低了器件的漏电并且改善了器件的短沟道效应，采用兼容主流硅工艺降低了成本、提高了导热性，并且采用高迁移率材料用作沟道区以有效提高器件驱动性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：在衬底表面形成衬垫层；穿过衬垫层对衬底执行离子注入，在衬底表面上形成穿通阻挡层，衬垫层用于在离子注入过程中通过吸收、俘获机制而控制注入的掺杂剂的浓度分布；去除衬垫层，暴露穿通阻挡层的表面；在穿通阻挡层上外延生长半导体材料层；在半导体材料层上形成掩膜图形；利用掩膜图形依次刻蚀半导体材料层和穿通阻挡层，直至进入衬底中，在衬底上形成包含了半导体材料层和穿通阻挡层的多个鳍片；在多个鳍片之间的衬底上形成浅沟槽隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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