[发明专利]垂直形貌修整

摘要

提供一种在蚀刻层中蚀刻特征的方法。在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。

主权项

一种用于在蚀刻层中蚀刻特征的方法，包括：在所述蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，所述光刻胶特征具有侧壁，其中所述光刻胶特征的所述侧壁具有沿所述光刻胶特征的深度的不规则形貌；修正沿所述光刻胶特征的所述侧壁的所述光刻胶特征的深度的所述不规则形貌，所述修正包括至少一个循环，其中每个循环包括：采用沉积气体进行的侧壁沉积阶段；以及采用形貌成形气体进行的形貌成形阶段,所述形貌成形阶段在所述侧壁沉积阶段之后进行；在修正所述不规则形貌后,穿过所述光刻胶特征将特征蚀刻入所述蚀刻层；以及去除所述掩模,其中所述侧壁沉积阶段包括：提供沉积气体，所述沉积气体包括碳氢化合物、碳氟化合物和氢氟碳化合物中的至少一种；从所述沉积气体形成等离子体；以及停止所述沉积气体的流动,其中所述形貌成形阶段包括：提供形貌成形气体，所述形貌成形气体包括C_xF_y、NF₃和C_xH_yF_z中的至少一种；从所述形貌成形气体形成等离子体；以及停止所述形貌成形气体的流动。