[发明专利]一种结型场效应管的制作方法在审
| 申请号： | 201410571939.3 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105590855A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结型场效应管的制作方法，该方法包括：对场氧化后的衬底的部分氧化层进行刻蚀；将所述刻蚀后的衬底进行第一杂质的第一次注入，并通过高温氮气将所述刻蚀后的衬底进行第一杂质的第一次驱入，形成阱区；将第二杂质注入所述阱区，通过高温氮气对所述注入的第二杂质进行驱入形成栅极区；对形成栅极区后的衬底上表面的氧化层进行部分刻蚀，并进行第一杂质的第二次注入，形成源区和漏区；在所述形成源区和漏区后的衬底上表面生成介质层，制作接触孔和金属层；其中，所述第一杂质的类型和所述第二杂质的类型不同。本发明减少了结型场效应管的工艺流程，提高了制造效率，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 制作方法 | ||
【主权项】：
一种结型场效应管的制作方法，其特征在于，该方法包括：对场氧化后的衬底的部分氧化层进行刻蚀；将所述刻蚀后的衬底进行第一杂质的第一次注入，并通过高温氮气将所述刻蚀后的衬底进行第一杂质的第一次驱入，形成阱区；将第二杂质注入所述阱区，通过高温氮气对所述注入的第二杂质进行驱入形成栅极区；对形成栅极区后的衬底上表面的氧化层进行部分刻蚀，并进行第一杂质的第二次注入，形成源区和漏区；在所述形成源区和漏区后的衬底上表面生成介质层，制作接触孔和金属层；其中，所述第一杂质的类型和所述第二杂质的类型不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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