[发明专利]SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用

摘要

本发明涉及SnS₂纳米片制备方法、超薄SnS₂纳米片及其应用。本发明的目的在于对二硫化锡纳米片的制备方法进行研究，从而可以大规模地获得不同厚度的超薄二硫化锡纳米片，进而可以将二硫化锡应用于超级电容器制造领域，并获得性能优异的超级电容器。为了实现这一目的，我们公开了一种SnS₂纳米片的制备方法，所述制备方法是以油酸体系为基础，将锡源和不同的硫源直接加入油酸体系后，通过控制加入硫源的类型获得不同厚度二硫化锡纳米片的方法，从而在常压和较低的温度下制备得到二硫化锡纳米片。本发明所公开的工艺实施简单，反应温度低，时间短，适合于批量生产，并且所得产品具有优异的在超级电容器领域的应用价值。

主权项

SnS₂纳米片的制备方法，其特征是，所述制备方法是以油酸体系为基础，将锡源和不同的硫源直接加入油酸体系后，通过控制加入硫源的类型获得不同厚度二硫化锡纳米片的方法。