[发明专利]一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法

摘要

本发明属于半导体技术领域的半导体器件模拟与测试技术，公开了一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法，包括：步骤1：采用单栅极场效应晶体管电容的测试方法，将源极、漏极、第二栅极接地，在第一栅极上加偏置和交流信号，测出第一栅极对第一栅极的电容C_{g1_g1}，第一栅极对第二栅极的电容C_{g1_g2}；步骤2：将源极、漏极、第一栅极接地，在第二栅极上加偏置和交流小信号，测出第二栅极对第二栅极的电容C_{g2_g2}，第二栅极对第一栅极的电容C_{g2_g1}；步骤3：计算双栅极场效应晶体管结构的总的栅电容C_g，C_g＝C_{g1_g1}+C_{g1_g2}+C_{g2_g2}+C_{g2_g1}。

主权项

一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：采用单栅极场效应晶体管电容的测试方法，将源极(3)、漏极(4)、第二栅极(6)接地，在第一栅极(5)上加偏置和交流信号，测出第一栅极(5)对第一栅极(5)的电容C_{g1_g1}、第一栅极(5)对第二栅极(6)的电容C_{g1_g2}； 步骤2：将源极3、漏极4、第一栅极5接地，在第二栅极上加偏置和交流信号，测出第二栅极(6)对第二栅极(6)的电容C_{g2_g2}、第二栅极(6)对第一栅极(5)的电容C_{g2_g1}； 步骤3：根本步骤1和步骤2的测量结果，计算双栅极场效应晶体管结构的总的栅电容C_g，计算的公式如下： C_g＝C_{g1_g1}+C_{g1_g2}+C_{g2_g2}+C_{g2_g1}。