[发明专利]一种提高MOS管击穿电压的结构在审
| 申请号： | 201410577720.4 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104362173A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李建成;尚靖;李聪;李文晓;王震;郑黎明;曾祥华;吴建飞 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 胡伟华 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高MOS管击穿电压的结构，包括具有第一掺杂类型的硅衬底，所述硅衬底上设置有阱区，所述阱区内设置有源区和漏区，所述源区与漏区之间形成沟道，所述阱上设置有多晶，所述硅衬底与多晶之间形成氧化层；所述阱区内为第一掺杂类型，所述源区内为高浓度第二掺杂类型，所述漏区中远离所述沟道的一端为高浓度第二掺杂类型，所述漏区中靠近所述源区的一端为低浓度第二掺杂类型，所述多晶内为第二掺杂类型。本发明具有小幅度提高器件的击穿电压，增强电路的可靠性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 mos 击穿 电压 结构 | ||
【主权项】：
一种提高MOS管击穿电压的结构，其特征在于，包括具有P型掺杂的硅衬底，所述硅衬底上设置有阱区，所述阱区内设置有源区和漏区，所述源区与漏区之间形成沟道，所述阱区上设置有多晶，所述硅衬底与多晶之间形成氧化层；所述阱区内为P型掺杂，所述源区内为高浓度N型掺杂，所述漏区中远离所述沟道的一端为高浓度N型掺杂，所述漏区中靠近所述沟道的一端为低浓度N型掺杂，所述多晶内为N型掺杂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学，未经中国人民解放军国防科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410577720.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：部分耗尽绝缘体上硅三极管结构
- 下一篇：提高饱和容量的背照式图像传感器结构
- 同类专利
- 专利分类
