[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201410578307.X | 申请日: | 2014-10-24 |
公开(公告)号: | CN105590968A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 吴中瀚;陈奎伯;吴兴华;林信成;欧乃天;黄桂武 | 申请(专利权)人: | 昱晶能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包含半导体基材、硼背面场层、钝化层、背面电极层及铝局部背面场层。半导体基材具有一正面及一背面相对设置。硼背面场层位于背面下方的半导体基材内。钝化层位于硼背面场层的上方,且具有一开口贯穿钝化层。背面电极层位于开口内。铝局部背面场层位于开口下方的半导体基材内,并接触硼背面场层及背面电极层。硼背面场层及铝局部背面场层可提升背面导电度及有效增加载子的收集效率;钝化层可提升背面钝化效果,进而提升太阳能电池的电池转换效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包含:一半导体基材,具有一正面及一背面相对设置;一硼背面场层,位于该背面下方的该半导体基材内;一钝化层,位于该硼背面场层的上方,该钝化层具有一开口贯穿该钝化层;一背面电极层,位于该开口内;以及一铝局部背面场层,位于该开口下方的该半导体基材内,并接触该硼背面场层及该背面电极层。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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