[发明专利]半导体器件的具有表面超级结结构的终端在审
| 申请号： | 201410578556.9 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN104332489A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 左义忠;张海宇;贾国;高宏伟;李延庆 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 半导体器件的具有表面超级结结构的终端使得半导体器件具有良好的耐压和稳定性，属于半导体器件技术领域。现有技术器件制作工艺有待简化，器件耐压性能有待提高。在本发明之半导体器件的具有表面超级结结构的终端中，所述表面超级结结构由多个P型杂质区和N型杂质区交替排列构成，其特征在于，所述表面超级结结构位于器件芯片终端表面，每个P型杂质区、N型杂质区从有源区边界延伸到芯片边缘。本发明能够降低半导体器件芯片终端表面电场强度，芯片终端单位宽度的耐压水平得到明显提高，耐压能力甚至能够等效于绝缘体。同时，制作表面超级结结构的工艺非常常规和简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 具有 表面 超级 结构 终端 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的具有表面超级结结构的终端，所述表面超级结结构由多个P型杂质区和N型杂质区交替排列构成，其特征在于，所述表面超级结结构位于器件芯片终端(1)表面，每个P型杂质区(2)、N型杂质区(3)从有源区边界(4)延伸到芯片边缘(5)。
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