[发明专利]III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201410578598.2 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104576869B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 嵯峨宣弘;德山慎司;住吉和英;京野孝史;片山浩二;滨口达史;梁岛克典 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 鲁雯雯;金龙河 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×1020cm‑3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不使用包含氢的原料的情况下通过干式工艺来进行，利用蒸镀法形成。低氢含量膜(55)含有电介质、例如硅氧化物。用低氢含量膜(55)覆盖后对半导体区域(53)进行活化退火，由添加Mg的III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层。该活化退火的温度为摄氏600度以上且摄氏1100度以下。低氢含量膜(55)中的残留氢不阻碍氢自添加Mg的III族氮化物半导体层放出。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体元件的制造方法，其具备：在具有含有p型掺杂剂的III族氮化物半导体层的半导体区域上生长具有1×1020cm‑3以下的氢浓度的低氢含量膜的工序，和在生长所述低氢含量膜后对所述半导体区域进行活化退火，由所述III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层的工序，所述低氢含量膜由与III族氮化物不同的材料构成，半极性面衬底的主面的法线轴与所述半极性面衬底的c轴所成的角度在波导轴的方向上处于45度以上且80度以下或100度以上且135度以下的角度范围，所述低氢含量膜包含硅氧化物、锆氧化物、钛氧化物、钽氧化物中的至少任意一者。
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