[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法

摘要

一种晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，包括：提供包含多个半导体元件的晶圆，这些半导体元件中的一半导体元件具有主动面与背面，并且主动面上定义主动区与外部区，主动区内已设有第一电极及第二电极，且外部区区分为切割部与通道部；形成图案化保护层于主动面上，图案化保护层具多个开口以暴露第一电极、第二电极以及通道部；对背面执行薄化制作过程；形成背电极层于背面；执行选择性蚀刻制作过程，以在通道部形成沟槽，并暴露背电极层；通过所述沟槽形成连接背电极层的导电结构；以及沿切割部执行切割步骤。

主权项

一种晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一晶圆，包含多个半导体元件，其中所述多个半导体元件中的一第一半导体元件具有一主动面与一背面，且所述主动面具有一主动区与一外部区，所述主动区设有一第一电极及一第二电极，所述外部区区分为一切割部与一通道部；形成一图案化保护层于所述主动面上，所述图案化保护层具有多个开口以暴露所述第一电极、所述第二电极以及所述通道部；执行一薄化制作过程于所述背面；形成一背电极层于所述背面；执行一蚀刻制作过程，以在所述通道部形成一沟槽以暴露所述背电极层；通过所述沟槽形成一导电结构以连接所述背电极层；以及沿所述切割部执行一切割步骤。