[发明专利]一种碳纳米管异质结构制备方法

摘要

本发明涉及一种碳纳米管异质结构制备方法，包括如下步骤：将Si样片为阳极，铂为阴极，在去离子水、无水乙醇和氢氟酸混合的电解液中电解，使得Si表面形成锥形孔；通过高温液相法合成Fe₃O₄纳米粒子催化剂；将乙酰丙酮铁溶入油酸油脂和二醇中，在苯醚环境中高温热解；将制备的Fe₃O₄纳米粒子溶液滴在多孔硅表面上，放在空气中自然干燥；将制备好的多孔硅样品置于真空室中，抽本底真空并通入H₂，开启微波源进行预处理，基底靠加热系统和等离子体轰击共同升温至预定温度；预处理后，通入CH₄和B₂H₆气体，进行掺硼碳纳米管的制备；停止通入B₂H₆，将CH₄流量增大，进行纯碳纳米管的制备。本发明方法简单、成本低廉，获得的异质结构性能稳定、光学、电学性能更强。

主权项

一种碳纳米管异质结构制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将Si样片为阳极，铂为阴极，在去离子水、无水乙醇和氢氟酸混合的电解液中电解，使得Si表面形成锥形孔；通过高温液相法合成Fe₃O₄纳米粒子催化剂；将乙酰丙酮铁溶入油酸油脂和二醇中，在苯醚环境中高温热解；将制备的Fe₃O₄纳米粒子溶液滴在多孔硅表面上，放在空气中自然干燥；将制备好的多孔硅样品置于真空室中，抽本底真空并通入H₂，开启微波源进行预处理，基底靠加热系统和等离子体轰击共同升温至预定温度；预处理后，通入CH₄和B₂H₆气体，进行掺硼碳纳米管的制备；停止通入B₂H₆，将CH₄流量增大，进行纯碳纳米管的制备；反应结束后，在多孔Si表面形成了一层黑色的薄膜，即得到碳纳米管异质结构。