[发明专利]一种导电走线制作工艺在审
| 申请号： | 201410580185.8 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN104317450A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 程芹;刘利 | 申请（专利权）人： | 程芹 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种导电走线的制作工艺，其工艺步骤包括：铺设工艺，将绝缘基底放置于工作台面上，其四周具有遮挡，将纳米导电材料颗粒注入绝缘基底表面，使其均匀分布。烧结工艺，根据预先设计的导电线路走线方式，使用高能光束聚光在需要烧结的位置，进行低温烧结。回收工艺，将未被高能光束烧结的纳米导电材料颗粒回收至回收盘中。上述导电走线制作工艺无需在黄光工作室进行，剩余的纳米导电材料颗粒可以进行回收，制作成本低，速度快。并且高能光束的工艺精度高，纳米导电材料颗粒材料均匀，走线宽度均匀，并能够完成各种图形和线宽的走线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种导电走线的制作工艺，其工艺步骤包括： (1)铺设工艺，将绝缘基底放置于工作台面上，其四周具有遮挡，将纳米导电材料颗粒注入绝缘基底表面，使其均匀分布； (2)烧结工艺，根据预先设计的导电线路走线方式，使用高能光束聚光在需要烧结的位置，进行烧结； (3)回收工艺，将未被高能光束烧结的纳米导电材料颗粒回收至回收盘中。
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