[发明专利]一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201410584703.3 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN104319318A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 张勇辉;魏同波;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法，包含以下步骤：步骤1：在图形衬底上沉积低折射率材料；步骤2：在低折射率材料表面旋涂第一光刻胶；步骤3：利用光刻技术，对没有图形的地方进行光刻，而使图形衬底上的图形被光刻胶保护；步骤4：利用光刻胶做为掩摸，干法刻蚀掉无掩摸保护处的低折射率材料；步骤5：湿法去除光刻胶并清洗，完成图形衬底的制备。本发明不仅能保持图形衬底的图形形貌对光的散射作用，而低折射率材料将进一步加强这种散射效果，使更多的光被直接散射到氮化镓中而不是进入衬底传播。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 折射率 材料 led 图形 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法，包含以下步骤：步骤1：在图形衬底上沉积低折射率材料；步骤2：在低折射率材料表面旋涂第一光刻胶；步骤3：利用光刻技术，对没有图形的地方进行光刻，而使图形衬底上的图形被光刻胶保护；步骤4：利用光刻胶做为掩摸，干法刻蚀掉无掩摸保护处的低折射率材料；步骤5：湿法去除光刻胶并清洗，完成图形衬底的制备。
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