[发明专利]一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201410584893.9 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN104389016A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 武斌;陈集思;王立锋;于贵;刘云圻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/18;C30B25/14;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;赵静 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发涉及一种利用化学气相沉积法在液态铜基底上快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，该方法包括如下步骤：在氢气和惰性气体气氛下，通入水蒸气和碳源，利用碳源在所述液态铜基底表面的催化裂解，生长形成大尺寸单晶石墨烯，然后在惰性气体气氛下降温至室温，即可得大尺寸单晶石墨烯。与传统固态金属基底相比，使用液态铜基底在制备石墨烯方面具有生长速度快、成核均匀、可循环使用等优势，通过调节碳源和水份含量来实现石墨烯尺寸的可控，制备得到了厘米级的单晶石墨烯，所制备的石墨烯可应用到制备场效应晶体管器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 制备 尺寸 晶石 方法 | ||
【主权项】：
一种液态铜基底的制备方法，包括如下步骤：将固态铜置于铜钨合金衬底上，并在氢气气氛中加热至反应釜温度达到铜的熔点以上，即可制备得到液态铜基底。
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