[发明专利]一种单电极LED芯片的制作方法及芯片结构

摘要

本发明公开了一种单电极LED芯片的制作方法，通过将N电极生长在蓝宝石衬底的背面，有效降低电极面积所占有效发光面积的比例，提高材料的利用率，减少工艺流程。同时由于芯片的正面仅有单一P电极，能有效优化芯片封装时的打线过程，并节省电极焊接线。芯片背面的N电极，通过导电胶与封装体焊接，有效降低电焊接线的接触不良、断线等问题，提高芯片质量。

主权项

一种单电极LED芯片的制作方法，其特征在于，LED芯片的衬底为蓝宝石，所述LED芯片的P电极与N电极分别位于芯片的两侧，具体制作步骤如下：S1：外延层制作：通过MOCVD在蓝宝石衬底上生长GaN外延层，包括依次位于衬底上的N‑GaN层、发光层MQW与P‑GaN层；S2：制作Mesa区域：通过光刻胶保护、电感耦合等离子体干时刻机台蚀刻、光刻胶去除的方法在外延层上刻蚀得到所需的区域；S3：透明导电层制作：通过电子束蒸发或磁控溅射方式沉积ITO薄膜后，再通过光刻、刻蚀步骤得到芯片所需的透明导电层；S4：SiO₂保护层、P电极制作：通过PECVD沉积SiO₂保护层，并通过光刻、蒸镀、剥离的方式制作SiO₂保护层、P电极；S5：导入高温胶带；S6：制作N电极：通过蒸镀方式，在芯片背面蒸镀导电材料层，且导电材料层向上延伸与N‑GaN层相接触形成N电极。