[发明专利]场效应晶体管堆栈电压补偿有效
| 申请号： | 201410589412.3 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104426510B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | Y·朱;D·S·怀特菲尔德;A·罗伊;G·A·布林 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14;H03K17/687;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 于小宁 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 场效应晶体管(FET)堆栈电压补偿。在一些实施例中，开关装置可包括第一端子和第二端子，以及在第一端子和第二端子之间串联连接的多个开关元件。每一个开关元件具有被配置为在连接的开关元件之间产生期望电压降概况的参数。这种期望电压降概况可通过具有例如可变栅极宽度或与栅极相关联的梳指的可变数目的可变尺寸的堆栈中的一些或全部FET来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 堆栈 电压 补偿 | ||
【主权项】：
1.一种开关装置，包括：第一端子和第二端子；以及在第一端子和第二端子之间串联连接的多个开关元件，每一个开关元件具有被配置为在连接的开关元件之间产生期望电压降概况的参数，多个开关元件中的每一个包含具有有源区域以及形成在有源区域上的源极触点、漏极触点和栅极的场效应晶体管，多个场效应晶体管包含连接到第一端子的第一场效应晶体管和连接到第二端子的第二场效应晶体管，多个场效应晶体管具有栅极宽度值的分布，第一场效应晶体管具有比其他场效应晶体管更大的栅极宽度值，栅极宽度值的分布从第一场效应晶体管的栅极宽度值减小到对应于第一场效应晶体管和第二场效应晶体管之间的一场效应晶体管的最小栅极宽度值，最小栅极宽度值小于第二场效应晶体管的栅极宽度值。
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