[发明专利]芯片型固态电解电容器及其制造方法在审
| 申请号： | 201410589422.7 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104299789A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 陈明宗;王懿颖 | 申请（专利权）人： | 钰邦电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/15 | 分类号： | H01G9/15;H01G9/004;H01G9/14 |
| 代理公司： | 无锡华源专利事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 林弘毅;聂汉钦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种芯片型固态电解电容器，包括一基材层、一电性绝缘件、一导电高分子层、一图案化补强层及一电极层，其中该电性绝缘件形成于该基材层上，用以在该基材层上定义出一阳极部及一阴极部，该导电高分子层形成于该阴极部上，该图案化补强层形成于该导电高分子层上，该电极层形成于该图案化补强层上。采用本发明之芯片型固态电解电容器，可以在不影响电容值的前提下增加整体的结构强度。本发明另提供一种芯片型固态电解电容器之制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 固态 电解电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片型固态电解电容器，其特征在于，包括：一基材层；一电性绝缘件，形成于该基材层上，用以在该基材层上界定出一阳极部及一阴极部；一导电高分子层，形成于该阴极部上；一图案化补强层，形成于该导电高分子层上；以及一电极层，形成于该图案化补强层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钰邦电子（无锡）有限公司，未经钰邦电子（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410589422.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
