[发明专利]硅铈抛光液及其制备方法有效
申请号: | 201410589847.8 | 申请日: | 2014-10-29 |
公开(公告)号: | CN104312441B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 张海龙;张磊;王红艳 | 申请(专利权)人: | 安阳方圆研磨材料有限责任公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 455000 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明涉及一种硅铈抛光液,其含有微米级二氧化铈粉体,纳米级二氧化铈粉体,胶体二氧化硅,琥珀酸酯或盐,阴离子分散剂,和余量的水;其中所述微米级二氧化铈粉体的粒径为0.5~2.0μm,并且粒径为1.5μm以下的微米级二氧化铈粉体占60%以上,粒径为1.8μm以上的占5%以下;所述纳米级二氧化铈粉体的粒径为20~100 nm,且粒径为50nm以下的纳米级二氧化铈粉体占30~35%,粒径为80nm以上的占10~15%。本发明的硅铈抛光液,可以用于玻璃、蓝宝石、树脂镜片以及半导体基片的高精度研磨和抛光工艺,具有抛光效率高、抛光精度高,切削率高的优点。 | ||
搜索关键词: | 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅铈抛光液,采用纳米级二氧化铈粉体、微米级二氧化铈粉体、胶体二氧化硅作为研磨材料,其特征在于:所述抛光液中含有3~6wt%的微米级二氧化铈粉体,1.20~1.75wt%的纳米级二氧化铈粉体,10~25wt%的胶体二氧化硅,0.3~0.8wt%的琥珀酸酯或其盐,0.5~1.5wt%的阴离子分散剂,和余量的水;其中所述微米级二氧化铈粉体的粒径为0.5~2.0μm;所述纳米级二氧化铈粉体的粒径为20~100 nm;其中,所述纳米级二氧化铈粉体经过以下表面处理:(1)将质量为纳米级二氧化铈粉体8~10wt%的改性剂加入去离子水中,在800~1000 rpm的搅拌速度下搅拌10~15min中形成浓度为1.5~2.0wt%的第一体系;(2)将纳米级二氧化铈粉体,以及质量为纳米级二氧化铈粉体8~10wt%的丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵在转速为800~1000 rpm的搅拌速度下分散到甲基丙烯酸缩水甘油酯中得到第二体系;所述甲基丙烯酸缩水甘油酯的质量为纳米级二氧化铈粉体质量的2.5~3.0倍;(3) 将步骤(2)得到的第二体系加入到步骤(1)得到的第一体系中,在1800~2000 rpm的搅拌速度下搅拌20~25 min得到混合液,并转移到反应器中,在N2气氛保护下,持续搅拌加入甲基丙烯酸缩水甘油酯质量0.5~1.0wt%的过氧化二月桂酰,然后在80~85℃的条件下反应2个小时,然后经过过滤、洗涤和干燥即可;所述改性剂为具有以下通式结构的化合物:并且,R为含有10~15个碳的烷基;R'为 (CH2)nSO3Na,n为3~5的整数。
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