[发明专利]一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构有效
| 申请号： | 201410590238.4 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105552186B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 田宇;张晓龙;俞登永;郑建钦;曾欣尧;童敬文;吴东海;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
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| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、浅量子阱层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。所述浅量子阱层与有源区之间插入抑制极化效应垒层，所述抑制极化效应垒层从下至上包括AlxGa1‑xN层和SiN层。本发明通过在现有外延结构中插入一种新型垒层，释放应力、抑制极化、降低缺陷密度从而提高辐射复合几率，降低极化效应，以达到增强LED内量子效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 抑制 极化 效应 垒层蓝光 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，它从下至上依次包括衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、浅量子阱层（5）、有源区（7）、电子阻挡层（8）和P型GaN层（9），其特征在于：所述浅量子阱层（5）与有源区（7）之间插入抑制极化效应垒层（6），所述抑制极化效应垒层（6）从下至上包括AlxGa1‑xN层（10）和SiN层（11）；生长所述抑制极化效应垒层（6）时，AlxGa1‑xN层（10）与SiN层（11）交替生长，生长周期为2~20个周期；所述抑制极化效应垒层（6）在氮气、氢气或者氢氮混合环境中生长，AlxGa1‑xN层（10）的厚度随着周期数目的增加，逐渐增厚；SiN层（11）的厚度随着周期数目的增加，逐渐减薄。
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