[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201410592593.5 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105633104A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 倪景华;李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成覆盖部分半导体衬底的栅极结构；在所述栅极结构一侧的半导体衬底内形成N型掺杂区；在所述栅极结构侧壁表面形成牺牲层，所述栅极结构一侧的牺牲层覆盖部分N型掺杂区；在未被牺牲层覆盖的N型掺杂区表面形成P型钉扎层；去除牺牲层，暴露出未被P型钉扎层覆盖的部分N型掺杂区。上述形成方法可以提高图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成覆盖部分半导体衬底的栅极结构；在所述栅极结构一侧的半导体衬底内形成N型掺杂区；在所述栅极结构侧壁表面形成牺牲层，所述栅极结构一侧的牺牲层覆盖部分N型掺杂区；在未被牺牲层覆盖的N型掺杂区内形成P型钉扎层，所述P型钉扎层表面与半导体衬底表面齐平；去除牺牲层，暴露出未被P型钉扎层覆盖的部分N型掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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