[发明专利]一种MEMS麦克风及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410593751.9 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105635926B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张先明;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS麦克风及其制备方法、电子装置。所述方法包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有振膜，在所述振膜上形成有牺牲材料层；步骤S2：在所述牺牲材料层上依次形成等离子体增强SiN层和低压SiN层，以形成背板。本发明的优点在于：(1)SiN层表面不会受到损害，不会失去颜色。(2)在沉积所述等离子体增强SiN层之后，退火步骤是可选的，不是必须执行的。(3)工艺成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 麦克风 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS麦克风的制备方法，包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有振膜，在所述振膜上形成有牺牲材料层；步骤S2：在所述牺牲材料层上依次形成等离子体增强SiN层和低压SiN层，以形成背板；步骤S3：图案化所述背板，以在所述背板中形成若干开口；步骤S4：再次沉积牺牲材料层，以覆盖所述背板并填充所述开口；步骤S5：执行MEMS工艺，然后去除所述背板两侧的所述牺牲材料层，以分别形成麦克风空腔和背腔。
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