[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

摘要

本发明涉及等离子处理装置以及等离子处理方法。提升等离子处理装置中的等离子处理性能和静电吸附性能两者。干式蚀刻装置(1)将保持在具备框架(6)和保持片(5)的搬运载体(4)的晶片(2)作为处理对象。机台(11)的电极部(13)具备静电卡盘(17)。在静电卡盘(17)的上表面近旁内置第1静电吸附电极(24)和第2静电吸附电极(25)。第1静电吸附电极(24)是单极型，隔着保持片(5)静电吸附晶片(2)。第2静电吸附电极(25)是双极型，隔着保持片(5)静电吸附框架(6)，并静电吸附晶片(2)与框架(6)间的保持片(5)。

主权项

1.一种等离子处理装置，对保持在具备框架和保持片的搬运载体的基板进行等离子处理，所述等离子处理装置具备：腔室，其有能减压的内部空间；工艺气体提供单元，其对所述内部空间提供工艺气体；减压单元，其对所述内部空间进行减压；等离子产生单元，其使所述内部空间产生等离子；机台，其设置在所述腔室内，具有载置所述搬运载体的电极部；单极型的第1静电吸附电极，其内置在所述电极部中的第1区域，该第1区域是隔着所述保持片载置所述基板的区域；双极型的第2静电吸附电极，其内置在所述电极部中的第2区域，该第2区域至少包含隔着所述保持片载置所述框架的区域、和所述基板与所述框架间的载置所述保持片的区域，所述双极型的第2静电吸附电极被施加直流电压。