[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的制备方法

摘要

一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：（1）通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面残留的光刻胶；所述干法刻蚀为ICP刻蚀，包括两步，第一步采用Cl₂和BCl₂为刻蚀气体，刻蚀GaN基外延片，第二步采用O₂，去除残留的光刻胶；（2）在p型GaN层的表面生长一层ITO透明导电膜；（3）分别在ITO透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极；（4）在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。该方法在ICP刻蚀中通过增加一步O₂等离子体去除光刻胶的步骤，可彻底的去除残留的光刻胶，保证芯片表面干净，简化了工艺流程，缩短了生产周期。

主权项

一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括以下步骤： (1)在GaN基外延片的p型GaN层的上表面涂正性光刻胶，对正性光刻胶进行光刻，光刻出所需台面结构的图形；根据台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面残留的光刻胶；所述干法刻蚀为ICP刻蚀，刻蚀过程包括两步，第一步采用Cl₂和BCl₂为刻蚀气体，刻蚀GaN基外延层至n型GaN层，第二步采用O₂作为刻蚀气体，去除残留的光刻胶；经过干法刻蚀，不仅完成台面结构图形的制作，而且将表面清洗干净，能够直接进行下一步的ITO生长； (2)在p型GaN层的表面生长一层ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)透明导电膜； (3)分别在ITO透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极； (4)在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。