[发明专利]薄膜晶体管的制备方法和阵列基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法和阵列基板的制备方法，可以使得薄膜晶体管的沟道不受曝光机分辨率的限制，提高阵列基板的开口率。上述薄膜晶体管的制备方法中该薄膜晶体管中的第一电极层和第二电极层的制备步骤包括在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；在第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；采用光刻工艺在衬底基板上形成第一电极层；在衬底基板上沉积金属形成第二金属层；在第二金属层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的图案所在区域以外的第二光刻胶层；对第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及第二电极层与第一电极层之间的沟道；剥离剩余的第二光刻胶层。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该薄膜晶体管中的第一电极层和第二电极层的制备步骤包括：在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；在所述第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；采用光刻工艺在所述衬底基板上形成第一电极层；具体包括：对所述第一光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第一电极对应的图案所在区域以外的第一光刻胶层；对所述第一金属层进行刻蚀，形成所述第一电极层；剥离剩余的所述第一光刻胶层；形成只覆盖在所述第一电极层上的保护层；具体包括：在所述衬底基板上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上涂覆光刻胶，形成第三光刻胶层；对所述第三光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在所述第一电极层区域以外的第三光刻胶层；对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成所述保护层；剥离剩余的所述第三光刻胶层；在所述衬底基板上沉积金属形成第二金属层；在所述第二金属层上涂覆光刻胶，形成第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的图案所在区域以外的第二光刻胶层；对所述第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及所述第二电极层与所述第一电极层之间的沟道；剥离剩余的所述第二光刻胶层。