[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法

摘要

集成电路和制造集成电路的方法。一种集成电路包括：功率部件，其包括在单元阵列中的多个第一沟槽以及在第一沟槽中的电耦合到功率部件的栅极端子的第一导电材料；以及二极管部件，其包括被布置为相邻于彼此的第一二极管器件沟槽和第二二极管器件沟槽。第一和第二二极管器件沟槽中的第二导电材料电耦合到二极管部件的源极端子。第一沟槽、第一二极管器件沟槽和第二二极管器件沟槽被布置在半导体衬底的第一主表面中。集成电路还包括二极管栅极接触部，二极管栅极接触部包括在第一和第二二极管器件沟槽之间的连接结构。连接结构与第一和第二二极管器件沟槽中的第二导电材料接触。

主权项

一种集成电路，包括：功率部件，其包括在单元阵列中的多个第一沟槽以及在第一沟槽中的电耦合到所述功率部件的栅极端子的第一导电材料；二极管部件，其包括被布置为相邻于彼此的第一二极管器件沟槽和第二二极管器件沟槽，并且所述第一和第二二极管器件沟槽中的第二导电材料电耦合到所述二极管部件的源极端子，所述第一沟槽、所述第一二极管器件沟槽和所述第二二极管器件沟槽被布置在所述半导体衬底的第一主表面中；以及二极管栅极接触部，其包括在所述第一和第二二极管器件沟槽之间的连接结构，所述连接结构与所述第一和第二二极管器件沟槽中的所述第二导电材料接触。