[发明专利]一种具有荷电介质的HEMT器件在审
| 申请号： | 201410596567.X | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104393040A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;熊佳云;杨超;魏杰;周坤;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有荷电介质的HEMT器件。本发明的HEMT器件，包括衬底1、位于衬底1上层的缓冲层2、位于缓冲层2上层的势垒层3和位于势垒层3上层的钝化层4，且所述缓冲层2与势垒层3形成异质结；所述势垒层3上表面两端分别设置有源电极6和漏电极7，在源电极和漏电极之间设置有栅电极8；其特征在于，所述栅电极8与漏电极7之间的钝化层中形成荷电介质区5，所述荷电介质区5中带有负电荷。本发明的有益效果为，可以调制器件表面电场，优化器件横向电场分布，提高器件的击穿电压，且不会引入寄生电容，不影响器件的频率特性，同时在提高器件击穿电压的同时对器件电流能力的影响很小。本发明尤其适用于HEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电介质 hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种具有荷电介质的HEMT器件，包括衬底(1)、位于衬底(1)上层的缓冲层(2)、位于缓冲层(2)上层的势垒层(3)和位于势垒层(3)上层的钝化层(4)，所述缓冲层(2)与势垒层(3)形成异质结；所述势垒层(3)上表面两端分别设置有源电极(6)和漏电极(7)，在源电极(6)和漏电极(7)之间设置有栅电极(8)；其特征在于，所述栅电极(8)与漏电极(7)之间的钝化层中设置有荷电介质区(5)，所述荷电介质区(5)带有负电荷。
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