[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、多量子阱层、P型层、透明导电层，所述发光二极管芯片上设有从P型层延伸至N型层的凹槽，透明导电层和凹槽内的N型层上层叠有钝化层，P型层和透明导电层上设有从透明导电层延伸至P型层的第一环形凹槽，第一环形凹槽内设有P型焊盘，凹槽内的N型层上设有第二环形凹槽，第二环形凹槽内设有N型焊盘，P型焊盘和N型焊盘均包括底层和层叠在底层上的顶层，P型焊盘的底层的厚度小于第一环形凹槽的深度，N型焊盘的底层的厚度小于第二环形凹槽的深度。本发明有效防止了P型焊盘和N型焊盘脱落。

主权项

一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、多量子阱层、P型层、透明导电层，所述发光二极管芯片上设有从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽，所述透明导电层和所述凹槽内的所述N型层上层叠有钝化层，其特征在于，所述P型层和所述透明导电层上设有从所述透明导电层延伸至所述P型层的第一环形凹槽，所述第一环形凹槽内设有P型焊盘，所述凹槽内的所述N型层上设有第二环形凹槽，所述第二环形凹槽内设有N型焊盘，所述P型焊盘和所述N型焊盘均包括底层和层叠在所述底层上的顶层，所述P型焊盘的所述底层的厚度小于所述第一环形凹槽的深度，所述N型焊盘的所述底层的厚度小于所述第二环形凹槽的深度。