[发明专利]一种超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法

摘要

本发明属于光电材料领域，提供了一种超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，该方法先用微粒法制备禁带可调的CIGS纳米晶，再通过浸渍提拉法制备梯度分布的涂膜基板，最后利用超临界流体在100～400℃的低温下硒化处理涂膜基板，得到连续的CIGS薄膜。该制备方法下制备的CIGS纳晶薄膜的超临界流体低温硒化过程可在100～400℃的低温下进行，这样，有利于在低承受温度的柔性基板上镀膜，且超临界流体硒化避免使用高毒的H₂Se同时，能够取得不错的硒化效果和更好地消除晶界。

主权项

一种超临界流体低温硒化制备CIGS薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：将氯化亚铜、氯化铟、氯化镓与硒粉混合后加入烷基胺中反应，得到CIGS纳米晶； 将所述CIGS纳米晶与有机溶剂混合分散，得到CIGS纳米晶墨水，将基板浸渍在所述CIGS纳米晶墨水中，并浸渍提拉进行涂膜，干燥后得到涂膜基板； 将所述涂膜基板与超临界流体溶液分开置于密闭环境中，加热处理，使所述超临界流体溶液蒸发形成超临界流体与涂膜基板充分接触进行硒化反应，得到CIGS薄膜。